死区时间影评（死区时间是什么意思）

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死区（deadband）有时也称为中性区（neutral zone）或不作用区，是指控制系统的传递函数中，对应输出为零的输入信号范围。

PN结正向偏置电压较小时，正向电流几乎为零，这个电压区间就称为死区。结正向电流由几乎为零转而开始明显增大那一点的结电压，称为死区电压。此时正向电流仍不大，还不能满足电路应用。

传统的功率方向元件存在死区。传统的功率方向元件，或称为功率方向继电器，利用线电压和相电流之间的相位关系来判断故障方向，而在保护出口发生三相金属性短路时，输入保护的线电压为0，无法进行相位比较，所以存在死区。

电流速断的保护死区是速断保护不能保护的区域。因为过电流保护是带有动作时限，所以无法保护到所有区域。

当馈线出口短路(金属性)时，由于母线电压降为零，使距离保护失去方向性，距离保护可动可不动，称为死区。为了消除保护死区，采用了带电压记忆特性的方向阻抗元件。

1、死区时间当然越小越好，但是为了安全保护作用又需要它，因此不能没有。最佳的设置方案是：在保证安全的前提下，越小越好。以不炸功率管、输出不短路为前提。

2、功率管在电压不为零时开通和电流不为零时关断，因此，随着工作频率的提高，死区由4098硬件产生，保证控制的可靠性。

3、另外，为防止上、下桥臂发生共同导通，在TT4及TT3之间必须设计先关断后导通电路，即必须设置死区时间，其电路结构较复杂。

4、其目的与整流器相反（AC转DC）；逆变器（Inverter）及整流器（Rectifier）皆为换流器/逆变器（Converter）的其中一种。根据逆变器的电路形式与输出的交流信号，可分为半桥逆变器、全桥逆变器和三相桥式逆变器。

A、磁芯材料损耗的影响是最主要的，它导致Q值从最大值后呈现负斜率。B、介电损耗也是影响的因素，特别是在高频段尤为明显。C、第三个影响因素是分布电容和电感的自谐振效应。

另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。

因此，两臂需设置同时关断的时间——死区。两臂同时关断会产生寄生二极管损耗。十栅极电路的损耗 MOSFET 的栅极电流较大为了快速开关，MOSFET 的栅极电流达到 2A，是非常大的电流。从电流大小来看，似乎损耗很大。

此外，复位信号的传播时间也会影响STM32F405死区时间，一般为至少2s。最后，复位信号的稳定时间也会影响STM32F405死区时间，一般为至少2s。

最高工作频率Fm：Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。

如果反向恢复方案仍不可接受，可使用肖特基(schottky)二极管与该晶体管的寄生二极管并联，从而转移电流并且防止寄生二极管一直导通。这很有帮助，因为schottky二极管的金属半导体结本质上不受反向恢复效应的影响。

死区时间是PWM输出时，为了使H桥或半H桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段，通常也指pwm响应时间。在这个时间，上下管都不会有输出，当然会使波形输出中断，死区时间一般只占百分之几的周期。

通常叫做死区时间，deadtime，常用于功率开关控制信号翻转时避免发生误触发。很多电源管理类芯片都会通过检测反馈电流或反馈电压，对一个或多个外部功率器件进行控制，例如MOSFET或IGBT等等。

死区时间是指开关电源推挽输出的两边都不导通的那段时间称为死区时间。

两个开关管的驱动电压并不是无缝衔接的，而是要留出一个时间间隙，在这个短暂的时间间隙内，两个开关管均不导通。两个开关管一旦同时导通，轻则破坏电路的稳定工作状态，增大电路损耗，严重的会损坏开关管。

为了防止逆变器的两个（两组）开关管同时处于导通状态，两个开关管的驱动电压并不是无缝衔接的，而是要留出一个时间间隙，在这个短暂的时间间隙内，两个开关管均不导通。

为了避免spike噪声的影响，通常在控制信号翻转后到反馈信号稳定的一端时间内，对反馈信号的运算电路进行屏蔽，这段时间就是死区时间。

会造成器件导通关断的延迟现象。一般在设计电路时已尽量降低该影响，比如尽量提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放回路等。